BC856S

Micros part number: TBC856s
Package: SOT363
2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz BC856SF BC856SH6327XTSA1 BC856S,125 BC856S,115
Parameters
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT363
Moc strat (PD): 300mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 110
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: BC856S,115 RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 6000 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5880 0,2700 0,1470 0,1100 0,0980
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT363
Moc strat (PD): 300mW
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 110
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP