BC856S
Micros part number: TBC856s
Package: SOT363
2PNP 0.1A 65V 300mW 100MHz BC856SF BC856SH6327XTSA1 BC856S,125 BC856S,115
Parameters
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Moc strat (PD): | 300mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 110 |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 100mA |
Manufacturer:: NXP
Manufacturer part number: BC856S,115 RoHS
Package: SOT363 t/r
In stock: 6000 pcs.
| Quantity | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,5880 | 0,2700 | 0,1470 | 0,1100 | 0,0980 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Moc strat (PD): | 300mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 110 |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 65V |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 100mA |
| Temperatura pracy zakres: | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |
