BCM846S

Micros part number: TBCM846s
Package: SOT363
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW BCM846SH6327XTSA1 BCM846SH6327
Parameters
Moc strat (PD): 250mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCM846SH6327 RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 0,8960 0,4490 0,2670 0,2210 0,1990
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Moc strat (PD): 250mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN