BCM856S

Micros part number: TBCM856s
Package: SOT363
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW BCM856SH6327 BCM856SH6327XTSA1
Parameters
Moc strat (PD): 250mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCM856SH6327 RoHS Package: SOT363 t/r In stock: 209 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 309+ 1236+
Net price (PLN) 1,0800 0,5430 0,3250 0,2690 0,2400
Add to comparison tool

Standard packaging:
309
Moc strat (PD): 250mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP