BCR108

Micros part number: TBCR108
Package: SOT23
NPN 100mA 50V 200mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameters
Moc strat (PD): 200mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR108 E6327 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 200 pcs.
Quantity 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Net price (PLN) 0,4670 0,1790 0,1010 0,0832 0,0779
Add to comparison tool
Standard packaging:
200
Moc strat (PD): 200mW
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN