BCR108W

Micros part number: TBCR108w
Package: SOT323
NPN 100mA 50V 250mW 170MHz w/ res. 2.2k+47k
Parameters
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Moc strat (PD): 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT323
Producent: Infineon Technologies
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR108W E6327 RoHS Package: SOT323 In stock: 3000 pcs.
Quantity 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Net price (PLN) 0,2790 0,1060 0,0605 0,0438 0,0399
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Moc strat (PD): 250mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT323
Producent: Infineon Technologies
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN