BCR10PN Infineon Tech

Micros part number: TBCR10pn
Package: SOT363
NPN/PNP 100mA 50V 130MHz 250mW
Parameters
Moc strat (PD): 250mW
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR10PNH6327 RoHS Package: SOT363 t/r   In stock: 2900 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,6880 0,3270 0,1840 0,1390 0,1250
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 250mW
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP