BCR112

Micros part number: TBCR112
Package: SOT23
NPN 100mA 50V 200mW 140MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameters
Moc strat (PD): 200mW
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR112E6327HTSA1 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 16290 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5700 0,2610 0,1420 0,1060 0,0950
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 200mW
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN