BCR158 INF

Micros part number: TBCR158
Package: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200mW BCR158E6327 BCR158E6327HTSA1
Parameters
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Moc strat (PD): 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23-3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR158E6327HTSA1 RoHS Package: SOT23-3 t/r In stock: 2900 pcs.
Quantity 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Net price (PLN) 0,3840 0,1510 0,0883 0,0646 0,0590
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Moc strat (PD): 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23-3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP