BCR158 INF
Micros part number: TBCR158
Package: SOT23-3
PNP 50V 100mA 200mW BCR158E6327 BCR158E6327HTSA1
Parameters
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Moc strat (PD): | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Manufacturer:: Infineon
Manufacturer part number: BCR158E6327HTSA1 RoHS
Package: SOT23-3 t/r
In stock: 2900 pcs.
| Quantity | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0883 | 0,0646 | 0,0590 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Moc strat (PD): | 200mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy zakres: | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
