BCR169

Micros part number: TBCR169
Package: SOT23-3
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 47k BCR169E6327 ; BCR169E6327HTSA1
Parameters
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Moc strat (PD): 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Obudowa: SOT23-3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR169E6327HTSA1 Pbf WSs Package: SOT23-3 t/r In stock: 499 pcs.
Quantity 10+ 20+ 50+ 100+ 499+
Net price (PLN) 0,3670 0,2330 0,1360 0,0965 0,0565
Add to comparison tool
Standard packaging:
499
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Moc strat (PD): 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 630
Obudowa: SOT23-3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy zakres: -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP