BCR191

Micros part number: TBCR191
Package: SOT23
PNP 100mA 50V 200mW 200MHz w/ res. 22k+22k BCR191E6327
Parameters
Moc strat (PD): 200mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR191 WOs RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 300 pcs.
Quantity 10+ 30+ 100+ 300+ 900+
Net price (PLN) 0,3580 0,1800 0,0989 0,0683 0,0550
Add to comparison tool
Standard packaging:
900
Moc strat (PD): 200mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP