BCR512

Micros part number: TBCR512
Package: SOT23
NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 4.7k+4.7k
Parameters
Moc strat (PD): 330mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR512E6327HTSA1 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 2575 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,7650 0,3630 0,2040 0,1550 0,1390
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 330mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN