BCR533

Micros part number: TBCR533
Package: SOT23
NPN 500mA 50V 330mW 100MHz w/ res. 10k+10k BCR533E6327, BCR533E6327HTSA1
Parameters
Moc strat (PD): 330mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BCR533 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 400 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Net price (PLN) 0,5780 0,2730 0,1530 0,1160 0,1050
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Moc strat (PD): 330mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN