BS107PSTZ

Micros part number: TBS107pstz
Package: TO92ammoformed
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A Automotive 3-Pin E-Line
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 30Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 120mA
Maksymalna tracona moc [W]: 500mW
Obudowa: TO92ammoformed
Producent: DIODES
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: DIODES/ZETEX Manufacturer part number: BS107PSTZ RoHS Package: TO92ammoformed In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Net price (PLN) 3,1700 1,9900 1,6500 1,4700 1,3800
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 30Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 120mA
Maksymalna tracona moc [W]: 500mW
Obudowa: TO92ammoformed
Producent: DIODES
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 20V
Montaż: THT