BSH103 NXP

Micros part number: TBSH103
Package: SOT23
N-MOSFET 30V 850mA 540mW 400mΩ
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 850mA
Maksymalna tracona moc: 750mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: BSH103 RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 395 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,9590 0,5310 0,3530 0,2940 0,2740
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 850mA
Maksymalna tracona moc: 750mW
Obudowa: SOT23
Producent: NXP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD