BSH202

Micros part number: TBSH202
Package: SOT23
N-MOSFET 0.52A 30V 0.417W 0.9Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,9 Ohm
Prąd drenu: 520mA
Moc (W): 417mW
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: BSH202 RoHS Package: SOT23t/r In stock: 300 pcs.
Quantity 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Net price (PLN) 1,1500 0,7370 0,5190 0,4410 0,4190
Add to comparison tool
Standard packaging:
300
Rezystancja drenu (Rds on): 0,9 Ohm
Prąd drenu: 520mA
Moc (W): 417mW
Napięcie dren-źródło [Uds]: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET