BUK9M19-60EX

Micros part number: TBUK9m19-60ex
Package: LFPAK33 (SOT1210)
N-MOSFET 60V 38A 5V 62W AUTOMOTIVE
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 43mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 38A
Maksymalna tracona moc [W]: 62W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: NXP Manufacturer part number: BUK9M19-60EX RoHS Package: LFPAK33 (SOT1210) In stock: 5 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Net price (PLN) 7,6300 5,6400 4,9200 4,6800 4,4900
Add to comparison tool

Standard packaging:
5
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 43mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 38A
Maksymalna tracona moc [W]: 62W
Obudowa: LFPAK33 (SOT1210)
Producent: NXP
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie dren-bramka (Vdgr): 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 10V
Montaż: SMD