CSD19538Q3A

Micros part number: TCSD19538q3a
Package: VSONP08(3.3x3.3)
N-MOSFET 4.9A 100V 2.8W 0.059Ω CSD19538Q3AT
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,059 Ohm
Prąd drenu: 4,9A
Moc (W): 2,8W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: Texas Instruments
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Texas Instruments Manufacturer part number: CSD19538Q3A RoHS Package: VSONP08(3.3x3.3) In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 3,9700 2,9100 2,3400 2,0000 1,8900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja drenu (Rds on): 0,059 Ohm
Prąd drenu: 4,9A
Moc (W): 2,8W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: Texas Instruments
Typ tranzystora: N-MOSFET