CSD23201W10

Micros part number: TCSD23201w10
Package: DSBGA04
P-CHANNEL NexFET MOSFET 12V, 7A, 66mohm
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,066 Ohm
Prąd drenu: 7A
Moc (W): 1W
Obudowa: DSBGA04
Napięcie dren-źródło [Uds]: 12V
Producent: Texas Instruments
Typ tranzystora: P-FET
Manufacturer:: Texas Instruments Manufacturer part number: CSD23201W10 RoHS Package: DSBGA04 In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 2,4500 1,3600 1,0700 1,0100 0,9800
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 0,066 Ohm
Prąd drenu: 7A
Moc (W): 1W
Obudowa: DSBGA04
Napięcie dren-źródło [Uds]: 12V
Producent: Texas Instruments
Typ tranzystora: P-FET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny