DN2450N8-G Microchip

Micros part number: TDN2450n8-g
Package: SOT89
N-MOSFET 500V 230mA 10Ω 1.6W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: MICROCHIP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Microchip Manufacturer part number: DN2450N8-G RoHS Package: SOT89   In stock: 10 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 60+ 300+
Net price (PLN) 4,3900 2,9100 2,4000 2,2100 2,0900
Add to comparison tool
Standard packaging:
60
Rezystancja otwartego kanału: 10Ohm
Maksymalny prąd drenu: 230mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: MICROCHIP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: SMD