FDC642P

Micros part number: TFDC642P
Package: TSOT23-6
P-MOSFET 4A 20V 0.8W 0.085Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,1 Ohm
Prąd drenu: 4A
Moc (W): 1,6W
Obudowa: TSOT23-6
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: Fairchild
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Fairchild Manufacturer part number: FDC642P RoHS Package: TSOT23-6 t/r In stock: 350 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Net price (PLN) 1,7900 0,9950 0,7850 0,7130 0,6900
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Rezystancja drenu (Rds on): 0,1 Ohm
Prąd drenu: 4A
Moc (W): 1,6W
Obudowa: TSOT23-6
Napięcie dren-źródło [Uds]: 20V
Producent: Fairchild
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny