FDD5612 ON Semiconductor

Micros part number: TFDD5612
Package: DPAK
N-Channel 60V 5.4A (Ta) 3.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 103mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 18A
Maksymalna tracona moc [W]: 42W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Fairchild Manufacturer part number: FDD5612 RoHS Package: DPAK t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Net price (PLN) 2,7100 1,7000 1,4100 1,2600 1,1800
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 103mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 18A
Maksymalna tracona moc [W]: 42W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 20V
Montaż: SMD