FQB34P10TM

Micros part number: TFQB34p10tm
Package: TO263 (D2PAK)
P-MOSFET 33.5A 100V 155W 0.06Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 60mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 33,5A
Maksymalna tracona moc [W]: 155W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: FQB34P10TM RoHS Package: TO263t/r (D2PAK) In stock: 20 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Net price (PLN) 8,4800 6,2900 5,5000 5,1100 4,9900
Add to comparison tool
Standard packaging:
20
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 60mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 33,5A
Maksymalna tracona moc [W]: 155W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 25V
Montaż: SMD