FQP13N10

Micros part number: TFQP13n10
Package: TO220
N-MOSFET 12.8A 100V 65W 0.18Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 180mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 12,8A
Maksymalna tracona moc [W]: 65W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
 
Item in delivery
Planowany termin: 2021-09-24
Quantity of pieces: 100
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 180mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 12,8A
Maksymalna tracona moc [W]: 65W
Obudowa: TO220
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 25V
Montaż: THT