HGTG30N60B3D

Micros part number: THGTG30n60b3d
Package: TO247
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode
Parameters
Ładunek bramki: 250nC
Maksymalna moc rozpraszana: 208W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 220A
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,2V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: HGTG30N60B3D RoHS Package: TO247 In stock: 5 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Net price (PLN) 32,0300 27,1600 24,1700 22,6600 21,7900
Add to comparison tool
Standard packaging:
30
Ładunek bramki: 250nC
Maksymalna moc rozpraszana: 208W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 220A
Maksymalny prąd kolektora: 60A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,2V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Napięci bramka-emiter: 20V
Montaż: THT