HGTP20N60A4

Micros part number: THGTP20n60a4
Package: TO220
70A; 600V; 290W; IGBT
Parameters
Ładunek bramki: 210nC
Maksymalna moc rozpraszana: 290W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 280A
Maksymalny prąd kolektora: 70A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,5V ~ 7,0V
Obudowa: TO220
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: HGTP20N60A4 RoHS Package: TO220   In stock: 8 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 11,6600 9,5500 8,3300 7,5700 7,2900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: HGTP20N60A4 RoHS Package: TO220   In stock: 40 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 40+ 200+
Net price (PLN) 11,6600 9,5500 8,3300 7,6400 7,2900
Add to comparison tool
Standard packaging:
40
Ładunek bramki: 210nC
Maksymalna moc rozpraszana: 290W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 280A
Maksymalny prąd kolektora: 70A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,5V ~ 7,0V
Obudowa: TO220
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT