IGW50N60H3

Micros part number: TIGW50n60h3
Package: TO247
IGBT 600V 100A 333W IGW50N60H3FKSA1
Parameters
Ładunek bramki: 315nC
Maksymalna moc rozpraszana: 333W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 200A
Maksymalny prąd kolektora: 100A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
 
 
Item in delivery
Planowany termin:
2022-12-31
Quantity of pieces: 90
Ładunek bramki: 315nC
Maksymalna moc rozpraszana: 333W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 200A
Maksymalny prąd kolektora: 100A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,1V ~ 5,7V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: Infineon Technologies
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter (Vges): 20V
Montaż: THT