IKD06N60RF

Micros part number: TIKD06n60rf
Package: TO252 (DPACK)
12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode
Parameters
Ładunek bramki: 48nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 18A
Maksymalny prąd kolektora: 12A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,3V ~ 5,7V
Obudowa: TO252 (DPAK)
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IKD06N60RF RoHS Package: TO252 (DPACK) t/r In stock: 27 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 4,9200 3,7600 3,1100 2,7200 2,5900
Add to comparison tool

Standard packaging:
50
Ładunek bramki: 48nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 18A
Maksymalny prąd kolektora: 12A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,3V ~ 5,7V
Obudowa: TO252 (DPAK)
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: Infineon Technologies
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter (Vges): 20V