IPA60R199CPXKSA1

Micros part number: TIPA60r199cp
Package: TO220iso
N-MOSFET 650V 16A 34W
Parameters
Maksymalny prąd drenu [A]: 16A
Maksymalna tracona moc [W]: 34W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IPA60R199CPXKSA1 RoHS Package: TO220 In stock: 10 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Net price (PLN) 10,3400 8,4100 7,3000 6,7700 6,4600
Add to comparison tool

Standard packaging:
10
Maksymalny prąd drenu [A]: 16A
Maksymalna tracona moc [W]: 34W
Obudowa: TO220iso
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: THT