IPB083N10N3 G

Micros part number: TIPB083n10n3
Package: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 80A 100V 125W 0.0083Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,0083 Ohm
Prąd drenu: 80A
Moc (W): 125W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Rezystancja drenu (Rds on): 0,0083 Ohm
Prąd drenu: 80A
Moc (W): 125W
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET