IPB090N06N3G INFINEON

Micros part number: TIPB090n06n3
Package: TO263/3
N-MOSFET 60V 50A 71W 9mΩ
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 9,3mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 50A
Maksymalna tracona moc [W]: 71W
Obudowa: TO263/3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IPB090N06N3G RoHS Package: TO263/3 In stock: 150 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 3,6300 2,3000 1,8200 1,6500 1,5800
Add to comparison tool
Standard packaging:
200
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 9,3mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 50A
Maksymalna tracona moc [W]: 71W
Obudowa: TO263/3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 20V
Montaż: SMD