IPD60R3K3C6 Infineon Tech

Micros part number: TIPD60r3k3c6
Package: TO252
N-MOSFET 600V 1.7A 18.1W 3.3Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 3,30 Ohm
Prąd drenu: 1,7A
Moc (W): 18,1W
Obudowa: TO252
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IPD60R3K3C6 RoHS Package: TO252t/r In stock: 50 pcs.
Quantity 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Net price (PLN) 2,5100 1,5700 1,3100 1,1600 1,0900
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 3,30 Ohm
Prąd drenu: 1,7A
Moc (W): 18,1W
Obudowa: TO252
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny