IPD90R1K2C3 INFINEON

Micros part number: TIPD90r1k2c3
Package: TO252
N-MOSFET 900V 5.1A 83W 1.2Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 5,1A
Maksymalna tracona moc [W]: 83W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IPD90R1K2C3 RoHS Package: TO252t/r In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 6,9400 5,5300 4,7400 4,2500 4,0800
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 2,5Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 5,1A
Maksymalna tracona moc [W]: 83W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 900V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: SMD