IRF1018ES

Micros part number: TIRF1018es
Package: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRF1018ESPBF-GURT RoHS Package: TO263t/r (D2PAK)  
In stock:
10 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 3,7400 2,7400 2,2000 1,8900 1,7800
Add to comparison tool
Standard packaging:
10
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD