IRF2807Z

Micros part number: TIRF2807z
Package: TO220
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 9,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRF2807Z RoHS Package: TO220  
In stock:
60 pcs.
Quantity 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Net price (PLN) 5,0900 3,5700 2,8500 2,7700 2,6800
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 9,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT