IRF630

Micros part number: TIRF630
Package: TO220
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630PBF (9A), IRF630NPBR (9.3A)
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,4 Ohm
Prąd drenu: 9A
Moc (W): 74W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 200V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd Manufacturer part number: IRF630 RoHS Package: TO220 In stock: 503 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 2,4800 1,5000 1,1500 1,0400 0,9900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/1000
Rezystancja drenu (Rds on): 0,4 Ohm
Prąd drenu: 9A
Moc (W): 74W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 200V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny