IRF630NS smd

Micros part number: TIRF630ns
Package: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,3A
Maksymalna tracona moc: 82W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRF630NS RoHS Package: TO263 (D2PAK)  
In stock:
7 pcs.
Quantity 1+ 3+ 7+
Net price (PLN) 3,9900 2,5200 1,9000
Add to comparison tool
Standard packaging:
7
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRF630NS RoHS Package: TO263 (D2PAK)  
In stock:
50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Net price (PLN) 3,9900 2,8700 2,2500 2,0600 1,9000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału: 300mOhm
Maksymalny prąd drenu: 9,3A
Maksymalna tracona moc: 82W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD