IRF640

Micros part number: TIRF640
Package: TO220
N-MOSFET 18A 200V 125W 0.18Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,18 Ohm
Prąd drenu: 18A
Moc (W): 125W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 200V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRF640 RoHS Package: TO220 In stock: 130 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 100+ 350+
Net price (PLN) 3,7300 2,3300 1,8300 1,7200 1,6200
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Manufacturer:: empty Manufacturer part number: TIRF640 Package: empty Towar w drodze:
500 pcs.
 
 
Data dostawy:
Ask about product
Rezystancja drenu (Rds on): 0,18 Ohm
Prąd drenu: 18A
Moc (W): 125W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 200V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny