IRF7853

Micros part number: TIRF7853
Package: SOP08
N-MOSFET HEXFET 100V 8,3A 2.5W 0,018Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,3A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRF7853PBF-GURT RoHS Package: SOP08t/r  
In stock:
75 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Net price (PLN) 6,6100 4,6300 3,9300 3,6000 3,4800
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,3A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD