IRFB38N20D

Micros part number: TIRFB38n20d
Package: TO220
N-MOSFET HEXFET 43A 200V 3.8W 0.054Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 54mOhm
Maksymalny prąd drenu: 43A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFB38N20D RoHS Package: TO220   In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 6,0400 4,6100 3,8200 3,3500 3,1800
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału: 54mOhm
Maksymalny prąd drenu: 43A
Maksymalna tracona moc: 300W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT