IRFB4310z

Micros part number: TIRFB4310z
Package: TO220
N-MOSFET HEXFET 120A 100V 250W 0.006Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,007 Ohm
Prąd drenu: 120A
Moc (W): 250W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFB4310Z RoHS Package: TO220 In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Net price (PLN) 8,3100 6,1700 5,1300 5,0100 4,8900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/100
Rezystancja drenu (Rds on): 0,007 Ohm
Prąd drenu: 120A
Moc (W): 250W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 175°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny