IRFB59N10D

Micros part number: TIRFB59n10d
Package: TO220
N-MOSFET HEXFET 59A 100V 3.8W 0.025Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 59A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IRFB59N10D RoHS Package: TO220  
In stock:
50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 6,4400 5,1400 4,4000 3,9500 3,7900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału: 25mOhm
Maksymalny prąd drenu: 59A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT