IRFBG20

Micros part number: TIRFBG20
Package: TO220
N-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 11Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 54W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: IRFBG20 RoHS Package: TO220   In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 4,2000 3,0800 2,4700 2,1200 2,0000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału: 11Ohm
Maksymalny prąd drenu: 1,4A
Maksymalna tracona moc: 54W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: THT