IRFP3206

Micros part number: TIRFP3206
Package: TO247
N-MOSFET HEXFET 120A 60V 280W 0.003Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 200A
Maksymalna tracona moc: 280W
Obudowa: TO247
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFP3206 RoHS Package: TO247  
In stock:
328 pcs.
Quantity 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Net price (PLN) 9,7400 7,4800 6,5600 6,2200 6,0900
Add to comparison tool
Standard packaging:
25/400
Rezystancja otwartego kanału: 3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 200A
Maksymalna tracona moc: 280W
Obudowa: TO247
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT