IRFP4110

Micros part number: TIRFP4110
Package: TO247
N-MOSFET HEXFET 120A 100V 370W 0.0045Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO247
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFP4110 RoHS Package: TO247  
In stock:
150 pcs.
Quantity 1+ 5+ 25+ 50+ 150+
Net price (PLN) 17,5400 14,0000 12,4700 12,1200 11,7700
Add to comparison tool
Standard packaging:
25/150
Rezystancja otwartego kanału: 4,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 370W
Obudowa: TO247
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT