IRFPC50

Micros part number: TIRFPC50
Package: TO 3P
N-MOSFET 11A 600V 180W 0.6Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 180W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRFPC50 RoHS Package: TO 3P  
In stock:
25 pcs.
Quantity 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
Net price (PLN) 10,2200 7,8500 6,8900 6,5300 6,3900
Add to comparison tool
Standard packaging:
25
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 180W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT