IRFR3411

Micros part number: TIRFR3411
Package: TO252 (DPACK)
N-MOSFET HEXFET 32A 100V 130W 0.044Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFR3411 RoHS Package: TO252 (DPACK)  
In stock:
0 pcs.
Quantity 2+ 10+ 75+ 300+ 900+
Net price (PLN) 3,5700 2,2600 1,7200 1,5900 1,5500
Add to comparison tool
Standard packaging:
75/300
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD