IRFR5505 smd

Micros part number: TIRFR5505
Package: TO252 (DPACK)
P-MOSFET 18A 55V 57W 0.11Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 57W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IRFR5505TR RoHS Package: TO252 (DPACK) t/r  
In stock:
1205 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 2,8800 1,8200 1,4400 1,3100 1,2500
Add to comparison tool
Standard packaging:
2000
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 57W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD