IRFS11N50A

Micros part number: TIRFS11N50A
Package: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 500V 11A 170W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 520mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRFS11N50A RoHS Package: TO263 (D2PAK)  
In stock:
50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 9,7600 7,9900 6,9700 6,3300 6,1000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/550
Manufacturer:: Vishay Manufacturer part number: IRFS11N50A RoHS Package: TO263 (D2PAK)  
In stock:
40 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 9,7600 7,9900 6,9700 6,3300 6,1000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału: 520mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD