IRFS3006

Micros part number: TIRFS3006
Package: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 195A 60V 375W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFS3006 RoHS Package: TO263t/r (D2PAK)   In stock: 10 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Net price (PLN) 14,2300 11,7600 10,3100 9,6000 9,1800
Add to comparison tool
Standard packaging:
10
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD