IRFSL11N50A

Micros part number: TIRFSl11n50a
Package: TO262
N-MOSFET 11A 500V 190W 0.55Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 550 mOhm
Prąd drenu: 11A
Moc (W): 190W
Obudowa: TO262
Napięcie dren-źródło [Uds]: 500V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRFSL11N50A RoHS Package: TO262 In stock: 26 pcs.
Quantity 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Net price (PLN) 9,2800 7,1300 6,0600 5,8700 5,8000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/150
Rezystancja drenu (Rds on): 550 mOhm
Prąd drenu: 11A
Moc (W): 190W
Obudowa: TO262
Napięcie dren-źródło [Uds]: 500V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 175°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny